LED原理与应用 彩色图解版

1 (p1): 第1章 发光二极管发展历史与半导体概念
2 (p1-1): 1.1 发光二极管发展历史
7 (p1-2): 1.2 半导体概念
7 (p1-2-1): 1.2.1 能带
9 (p1-2-2): 1.2.2 本征半导体
11 (p1-2-3): 1.2.3 掺杂半导体
13 (p1-2-4): 1.2.4 简并半导体
14 (p1-2-5): 1.2.5 外加电场下的能带图
15 (p1-3): 1.3 直接和非直接能隙半导体
18 (p1-4): 1.4 PN结理论
18 (p1-4-1): 1.4.1 无外加偏压（开路）
20 (p1-4-2): 1.4.2 正向偏压
25 (p1-4-3): 1.4.3 反向偏压
27 (p1-4-4): 1.4.4 空乏层电容
27 (p1-4-5): 1.4.5 复合生命
29 (p1-5): 1.5 PN结能带图
29 (p1-5-1): 1.5.1 无外加偏压（开路）
30 (p1-5-2): 1.5.2 正向和反向偏压
31 (p1-6): 习题
31 (p1-7): 参考文献
32 (p2): 第2章 发光二极管原理
33 (p2-1): 2.1 发光二极管（Light Emitting Diodes）
33 (p2-1-1): 2.1.1 原理
33 (p2-1-2): 2.1.2 组件结构
34 (p2-1-3): 2.1.3 LED材料
38 (p2-1-4): 2.1.4 异质结高强度LEDs
40 (p2-1-5): 2.1.5 LED特性
42 (p2-2): 2.2 辐射复合的理论
42 (p2-2-1): 2.2.1 辐射复合的量子力学模型
44 (p2-2-2): 2.2.2 van Roosbroeck-Shockley模型
47 (p2-2-3): 2.2.3 温度和掺杂浓度对复合的影响
49 (p2-2-4): 2.2.4 Einstein模型
49 (p2-3): 2.3 LED的电性介绍
50 (p2-3-1): 2.3.1 二极管的电流-电压特性
53 (p2-3-2): 2.3.2 理想与实际二极管I-V特性
55 (p2-3-3): 2.3.3 寄生电阻的量测与估算
56 (p2-3-4): 2.3.4 发光二极管的辐射光子能量
56 (p2-3-5): 2.3.5 同质PN结二极管的载子分布
57 (p2-3-6): 2.3.6 异质PN结二极管的载子分布
58 (p2-3-7): 2.3.7 异质结构对组件电阻的影响
60 (p2-3-8): 2.3.8 双异质结构中的载子损耗机制
61 (p2-3-9): 2.3.9 双异质结构的载子溢流现象
62 (p2-3-10): 2.3.10 电子阻挡层的影响
63 (p2-3-11): 2.3.11 发光二极管驱动电压
63 (p2-4): 2.4 LED的光学特性介绍
64 (p2-4-1): 2.4.1 LED内部、外部量子效率与功率转换
65 (p2-4-2): 2.4.2 LED辐射光谱
67 (p2-4-3): 2.4.3 光逃逸锥角
69 (p2-4-4): 2.4.4 射场形
69 (p2-4-5): 2.4.5 lambertian放射图案
71 (p2-4-6): 2.4.6 环氧树脂封装材料的影响
72 (p2-4-7): 2.4.7 发光强度与温度的关系
73 (p2-5): 习题
74 (p2-6): 参考文献
75 (p3): 第3章 发光二极管磊晶技术介绍
79 (p3-1): 3.1 液相磊晶法（Liquid Phase Epitaxy， LPE）
81 (p3-2): 3.2 分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy， MBE）
86 (p3-3): 3.3 气相磊晶法（Vapor Phase Epitaxy， VPE）
91 (p3-3-1): 3.3.1 氢化物气相磊晶法（Hydride vapor phase epitaxy，HVPE）
93 (p3-3-2): 3.3.2 金属有机物化学气相沉积（metal-organic chemicalvapor deposition，MOCVD）
104 (p4): 第4章 发光二极管的结构与设计
105 (p4-1): 4.1 高内部效率（internal efficiency）的设计
105 (p4-1-1): 4.1.1 双层异质结构
107 (p4-1-2): 4.1.2 主动区的掺杂
107 (p4-1-3): 4.1.3 PN结的位移
109 (p4-1-4): 4.1.4 局限层的掺杂
111 (p4-1-5): 4.1.5 非辐射复合
112 (p4-1-6):…