Tìm từ khóa

  • Main
  • Tìm từ khóa
1
Радиолиз углеводородов в жидкой фазе. Современное состояние вопроса

Радиолиз углеводородов в жидкой фазе. Современное состояние вопроса

Сараева В. В.
выход
phys
радикалов
радиолизе
продуктов
водорода
углеводородов
энергии
радиолиза
реакции
электронов
молекул
выхода
возбужденных
присутствии
ионов
выходы
выходов
температуры
soc
концентрации
электрона
табл
зависимость
ион
реакций
образование
скорости
возбуждения
рекомбинации
мол
состояний
радикалы
бензола
рис
происходит
связи
акцептора
значения
radiat
циклогексана
состояния
алканов
радиолиз
таблица
высоких
частиц
ароматических
продукты
гептана
Năm:
1986
Ngôn ngữ:
russian
File:
DJVU, 3.84 MB
0 / 0
russian, 1986
2
Фотоэмиссионные явления

Фотоэмиссионные явления

Современная фотоэлектрохимия.
электронов
потенциала
рис
электрона
электрода
фотоэмиссии
фототока
тока
поверхности
области
зависимость
металла
слоя
потенциал
концентрации
фототок
эмиссии
энергии
ток
водорода
зависимости
растворах
растворе
электрод
акцепторов
величина
раствор
электроде
электролита
выхода
заряда
величины
зависит
раствора
реакции
двойного
электроны
потенциалов
скорости
металл
функции
адсорбции
значения
растворов
влияние
захвата
по­
вакуум
границе
условиях
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 6.99 MB
0 / 0
russian
3
Молекулярные комплексы в органической химии.

Молекулярные комплексы в органической химии.

Эндрюс Л., Кифер Р.
комплексов
soc
комплекса
донора
поглощения
комплексы
комплекс
иода
заряда
реакции
серебра
образования
растворе
связи
типа
акцептора
доноров
взаимодействия
равновесия
полосы
phys
состава
ароматических
области
спектры
кольца
константы
моль
значения
растворов
acta
качестве
переносом
аддуктов
видимому
акцепторов
значительно
компонентов
рис
спектре
изменения
соединений
группы
иодом
констант
растворителя
случаях
спектрах
веществ
некоторых
Năm:
1967
Ngôn ngữ:
russian
File:
DJVU, 3.86 MB
0 / 0
russian, 1967
4
Термодинамика водородной связи

Термодинамика водородной связи

Терентиев В.А.
avd
уравнения
соединений
связи
атома
уравнение
связь
водородной
заместителей
типа
табл
атом
рис
значения
сдвига
способность
зависимость
группы
зависимости
точки
уравнений
молекул
электронов
влияние
аминов
постоянной
постоянные
соединения
влияния
постоянных
атомов
рка
кислорода
заместителя
водорода
азота
алифатических
донора
приведены
ahd
водородную
данных
молекулы
величина
сопоставление
способности
доноров
получено
soc
величины
Năm:
1973
Ngôn ngữ:
russian
File:
DJVU, 5.11 MB
0 / 0
russian, 1973
5
Физика твёрдого тела. Равновесная статистика носителей заряда в полупроводниках

Физика твёрдого тела. Равновесная статистика носителей заряда в полупроводниках

Владимирская Е.В., Гасумянц В.Э., Сидоров В.Г.
электронов
концентрации
проводимости
примесей
заряда
состояний
дырок
носителей
рис
зоне
потенциала
доноров
полупроводника
exp
электрохимического
концентрация
энергии
запрещенной
полупроводниках
типа
уровень
акцепторов
полупроводнике
валентной
зависимости
примесных
электрона
кристалла
участок
плотности
температуры
ферми
компенсации
области
ионизации
состояния
температур
зонах
εg
дефектов
зон
вырождения
разрешенных
уровня
2π
распределения
свободных
уровней
масса
функция
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 1.35 MB
0 / 0
russian
6
Термодинамика водородной связи

Термодинамика водородной связи

Терентьев В.А.
уравнения
соединений
avd
связи
атома
уравнение
связь
δν
водородной
типа
заместителей
табл
атом
сдвига
способность
рис
значения
группы
зависимость
зависимости
точки
уравнений
влияние
молекул
электронов
аминов
постоянной
постоянные
влияния
постоянных
соединения
атомов
кислорода
заместителя
водорода
рка
азота
алифатических
донора
водородную
молекулы
величина
данных
сопоставление
δνα
способности
получено
ahd
soc
основании
Năm:
1973
Ngôn ngữ:
russian
File:
DJVU, 3.63 MB
0 / 0
russian, 1973
7
Бесщелевые полупроводники - новый класс веществ

Бесщелевые полупроводники - новый класс веществ

Цидильковский И.М.
электронов
дырок
проводимости
рис
hgte
валентной
ферми
состояний
rде
электрона
поле
типа
полупроводников
заряда
поля
энерrии
холла
уровня
бесщелевых
концентрация
температуры
состояния
уровень
концентрации
доноров
щель
электроны
зон
полупроводника
зовы
уровней
зависимость
электрон
hgcdte
дисперсии
температурах
акцепторов
кристалла
массы
меньше
области
давления
носителей
уровни
kbt
коrда
зависимости
бесщелевоrо
дырки
зоной
Ngôn ngữ:
russian
File:
DJVU, 8.13 MB
0 / 0
russian
8
Механохимия полимеров

Механохимия полимеров

Барамбойм Н.К.
полимеров
деструкции
рис
продуктов
полимера
цепочек
механо
процесса
пластикации
свойств
механокрекинга
химической
механодеструкции
влияние
связей
процессов
различных
цепи
изменение
процесс
вследствие
природы
химических
макрорадикалов
размола
механической
связи
процессе
среде
изменения
полимер
свободных
условиях
степени
частиц
кривые
про­
наиболее
структуры
деформации
механических
температуры
групп
зависимости
ния
свойства
цепочки
измельчения
радикалов
следовательно
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 24.82 MB
0 / 0
russian
9
Люминесценция полупроводниковых кристаллов

Люминесценция полупроводниковых кристаллов

Агекян В. Ф.
электрона
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
рис
поглощения
эпк
энергии
энергия
hν
exp
излучения
перехода
линии
примеси
зона
связи
дап
проводимости
решетки
состояний
люминесценции
определяется
центра
вероятность
пары
экситона
состояния
дырки
электронов
донора
кристалла
электрон
примесь
функция
зависит
интенсивность
кристалле
спектра
эдж
состояние
захвата
рассмотрим
рекомбинации
линий
экситонов
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 2.15 MB
0 / 0
russian
10
Математические модели первичных процессов фотосинтеза

Математические модели первичных процессов фотосинтеза

Ризниченко Г.Ю.
электрона
переноса
скорости
р700
модели
рис
реакции
константы
комплекса
констант
состояний
процессов
пбк
параметров
системы
реакций
состояния
biophys
схема
электронного
электронов
взаимодействия
перенос
флуоресценции
фотосинтеза
величины
пигмент
концентрации
идентификации
acta
транспорта
значения
изменения
моделей
присутствии
electron
видимому
энергии
скоростей
biochim
компонентов
реорганизации
константа
этц
модель
центров
кривые
уравнений
photosystem
растений
Ngôn ngữ:
russian
File:
DJVU, 21.37 MB
0 / 0
russian
11
Полупроводниковая электроника

Полупроводниковая электроника

Евгений Никифорович Сидоренко, Алла Сергеевна Махно, Александр Владимирович Шлома
напряжения
ооо
перехода
рис
области
диода
aгентство
cервис
kнига
бибком
цкб
заряда
напряжение
тока
ток
переход
носителей
емкости
варикапа
вах
электронов
концентрация
стабилитрона
дырок
переходе
источника
емкость
концентрации
постоянного
осциллографа
зарядов
кристалла
область
измерения
полупроводникового
группы
узел
генератора
помощью
диод
зависимости
заряд
полупроводника
диодов
подключите
характеристики
установите
поля
обратного
сопротивление
Năm:
2019
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 2.69 MB
0 / 0
russian, 2019
12
Физико-химические основы технологии лактулозы

Физико-химические основы технологии лактулозы

Рябцева С.А.
лактулозы
изомеризации
лактозы
получения
реакции
раствора
молочного
продуктов
процесса
сахара
лактулозу
растворов
концентрации
рис
исследований
процесс
побочных
сырья
растворах
технологии
результаты
способ
веществ
анализ
влияние
степени
области
степень
термостатирования
экспериментов
раствор
наиболее
углеводов
катализаторов
производства
сыворотки
условиях
lactulose
опубл
лактулоза
температуры
мки
сырца
кальция
катализатора
натрия
образования
проведения
течение
использования
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 1.40 MB
0 / 0
russian
13
Электрические параметры нано-МОП транзисторов (180,00 руб.)

Электрические параметры нано-МОП транзисторов (180,00 руб.)

Петров Борис Константинович, Воробьев Владимир Васильевич
электронов
напряжения
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
ϕ
0ε
области
2ε
vси
рис
vзи
моп
слое
канала
lоб
напряжение
слоя
стока
ток
заряд
прям
транзистора
sio2
толщина
акцепторов
тока
транзисторов
выражение
затворного
перехода
валентной
окисла
истока
ограничения
падение
равна
ndn
заряда
мкм
находим
обедненном
обр
порогового
проводимости
формуле
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 537 KB
0 / 0
russian
14
Физика и химия твердофазных систем. Часть 1

Физика и химия твердофазных систем. Часть 1

Гвелесиани А.А.
электронов
заряда
носителей
рассеяния
library
www.mitht.ru
энергии
дырок
примеси
температуры
проводимости
ферми
подвижность
рис
полупроводников
области
уровня
фононах
атомов
состояний
зоне
полупроводника
релаксации
доноров
рассеяние
электропроводность
температуре
уровень
акцепторов
концентрации
температур
энергия
зона
полупроводниках
электрона
зависит
ионах
концентрация
область
подвижности
число
электропроводности
ростом
свободных
собственной
типа
зависимости
низких
оптических
примесных
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 1.62 MB
0 / 0
russian
15
Аналоговая электроника. Полупроводники. Конспект лекций

Аналоговая электроника. Полупроводники. Конспект лекций

Тогатов В.В.
дырок
рис
электронов
опз
носителей
перехода
концентрации
области
тока
переход
ϕt
напряжения
типа
ток
заряда
поля
неосновных
областях
напряжение
полупроводнике
практически
базе
переходе
ферми
концентрация
полупроводника
концентраций
область
диоды
обратного
поле
величина
вольт
величину
примеси
проводимости
основных
ширина
акцепторов
доноров
пробоя
рекомбинации
смещении
уровней
дырки
заряд
токов
диаграммы
равна
т.е
Năm:
2004
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 5.90 MB
0 / 0
russian, 2004
16
Научные основы приготовления катализаторов: введение в теорию и практику

Научные основы приготовления катализаторов: введение в теорию и практику

Н. А. Пахомов, отв. ред. В. А. Садыков
алмаза
рис
электрода
поверхности
алмазных
пленки
электродов
потенциала
реакции
тока
electrochem
diamond
алмаз
растворе
пленок
углерода
fujishima
soc
related
mater
импеданса
потенциал
типа
tryk
заряда
области
зависимости
зависимость
концентрации
электродах
электролита
алмазе
бора
solid
емкости
окисления
поверхность
реакций
электроде
анодного
ниже
электрохимия
зон
кривые
плесков
swain
концентрация
сопротивление
алмазного
электроды
Năm:
2011
Ngôn ngữ:
russian
File:
DJVU, 1.22 MB
0 / 0
russian, 2011
17
Электрохимия алмаза

Электрохимия алмаза

Плесков Ю.В.
рис
алмаза
электрода
поверхности
алмазных
пленки
электродов
потенциала
реакции
тока
electrochem
diamond
алмаз
растворе
пленок
углерода
fujishima
soc
related
mater
импеданса
потенциал
типа
tryk
заряда
области
зависимости
зависимость
концентрации
электродах
электролита
алмазе
бора
solid
емкости
окисления
поверхность
реакций
электроде
анодного
ниже
электрохимия
зон
кривые
плесков
swain
концентрация
сопротивление
алмазного
электроды
Năm:
2003
Ngôn ngữ:
russian
File:
DJVU, 2.55 MB
0 / 0
russian, 2003
19
Динамическая голография

Динамическая голография

Шмаков С. С.
голограммы
волны
кристалле
раздела
записи
поля
поле
волн
преломления
самопроверки
задач
кристалла
найдите
голограмм
интерференционной
излучения
методические
указания
кристаллах
exp
картины
голографической
заряда
изучению
содержание
пространственного
длиной
фоторефрактивных
электрического
оси
распределение
голограмма
интенсивности
пучка
раздел
решения
определите
эффективность
используя
компоненты
мкм
пучками
кристаллу
период
характеристики
варианты
диэлектрической
световых
теме
акцепторов
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 895 KB
0 / 0
russian
20
Динамическая голография

Динамическая голография

Шмаков С. С.
голограммы
волны
кристалле
раздела
записи
поля
поле
волн
преломления
задач
самопроверки
кристалла
найдите
голограмм
интерференционной
излучения
методические
указания
кристаллах
exp
картины
голографической
заряда
изучению
содержание
пространственного
длиной
фоторефрактивных
электрического
оси
распределение
голограмма
интенсивности
пучка
раздел
определите
эффективность
используя
компоненты
мкм
пучками
решения
кристаллу
период
характеристики
варианты
диэлектрической
световых
теме
акцепторов
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 892 KB
0 / 0
russian
21
Динамическая голография

Динамическая голография

Шмаков С. С.
голограммы
волны
кристалле
раздела
записи
поля
поле
волн
преломления
самопроверки
задач
кристалла
найдите
голограмм
интерференционной
излучения
методические
указания
кристаллах
exp
картины
голографической
заряда
изучению
содержание
пространственного
длиной
фоторефрактивных
электрического
оси
распределение
голограмма
интенсивности
пучка
раздел
решения
определите
эффективность
используя
компоненты
мкм
пучками
кристаллу
период
характеристики
варианты
диэлектрической
световых
теме
акцепторов
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 890 KB
0 / 0
russian
22
Физика полупроводниковых приборов. Расчет параметров биполярных приборов. Сборник задач

Физика полупроводниковых приборов. Расчет параметров биполярных приборов. Сборник задач

Кольцов Г.И., Диденко С.И., Орлова М.Н.
заряда
перехода
задача
тока
области
носителей
транзистора
концентрации
концентрация
дырок
базы
электронов
примеси
коэффициент
ток
рассчитать
exp
определяется
пространственного
мкм
счет
базе
температуре
кремния
типа
h21б
смещения
h21э
зависимость
диода
переход
равен
сопротивление
диффузии
емкость
рекомбинации
рис
состояний
wопз
концентрацией
коэффициента
передачи
равна
схеме
доноров
зависимости
коллекторного
область
полупроводника
ширина
Năm:
2012
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 1.46 MB
0 / 0
russian, 2012
23
Материалы электронной техники. Полупроводники. Проводниковые материалы. Магнитные материалы: учеб. пособие

Материалы электронной техники. Полупроводники. Проводниковые материалы. Магнитные материалы: учеб. пособие

Бялик А.Д., Дикарева Р.П., Романова Т.С.
электронов
варианта
дырок
концентрация
сопротивление
задачи
масса
варианты
удельное
подвижность
температуре
заряда
эффективная
носителей
поля
соответственно
проводимости
магнитного
определить
сердечника
длина
равна
температура
мком
электрона
в·с
потери
материалы
сопротивления
запрещенной
отношение
собственная
атомов
материала
проводника
свободного
коэффициент
магнитные
меди
равны
сердечнике
ток
витков
магнитная
плотность
разность
μn
определяется
подвижности
тока
Năm:
2017
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 996 KB
0 / 0
russian, 2017
24
Пленочные структуры на основе органических полупроводников

Пленочные структуры на основе органических полупроводников

Пахомов Л.Г., Леонов Е.С.
заряда
phthalocyanine
films
фталоцианина
фталоцианинов
комплексов
проводимости
pcm
молекул
типа
молекулы
поглощения
рис
плёнки
подложки
pccu
проводимость
полосы
переноса
плёнок
pczn
молекулярных
органических
пленок
свойства
комплекса
комплексы
вещества
пленки
происходит
структуры
области
переносом
спектры
системы
взаимодействия
данные
работе
phys
энергии
являются
акцептора
донора
кристаллитов
полоса
температуре
organic
вакууме
веществ
влияние
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 646 KB
0 / 0
russian
26
Методы динамической голографии

Методы динамической голографии

Шмаков С. С.
голограммы
волны
кристалле
записи
раздела
поля
поле
кристалла
преломления
exp
самопроверки
волн
найдите
θ1
голограмм
задач
излучения
кристаллах
методические
указания
голографической
интерференционной
оси
содержание
изучению
2π
длиной
заряда
картины
распределение
электрического
голограмма
раздел
фоторефрактивных
интенсивности
определите
пространственного
пучка
голографии
компоненты
диэлектрической
используя
коэффициент
эффективность
кристаллу
решения
теме
e30
варианты
висмута
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 598 KB
0 / 0
russian
27
Полупроводниковые емкости

Полупроводниковые емкости

Головко В. Г.
емкости
перехода
емкость
рис
коэффициент
заряда
напряжения
заряд
области
запертого
частоты
по­
зависит
полупроводника
структуры
дырок
объемного
примесей
переход
поверхностных
потенциалов
имеем
частотах
сигнала
диффузионной
зависимость
область
перекрытия
электронов
видим
внешнего
ем­
получаем
температурный
формула
частоте
электронно
емкостью
концентрации
находим
температуры
тока
диффузионная
напряжение
работе
равен
транзистора
частот
добротность
за­
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 1.65 MB
0 / 0
russian
28
Физика электронных приборов (сборник задач): учебно-методическое пособие

Физика электронных приборов (сборник задач): учебно-методическое пособие

Шадурская Л. И., Воробей Р. И., Гусев О. К., Тявловский К. Л., Свистун А. И.
носителей
заряда
электронов
концентрация
exp
дырок
решение
области
температуре
ток
перехода
мкм
сопротивление
типа
тока
германия
коэффициент
проводимость
концентрации
определить
получаем
кремния
напряжение
полупроводника
неосновных
образца
плотность
переход
равна
удельное
концентрацию
переходе
проводимости
следовательно
атомов
излучения
концентрацией
неравновесных
диффузии
число
область
образец
скорость
сопротивления
мкс
насыщения
определяется
подвижность
примеси
температуры
Năm:
2020
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 389 KB
0 / 4.5
russian, 2020
29
Физика электронных приборов (сборник задач): учебно-методическое пособие для студентов специальностей 1-38 02 01 «Информационно-измерительная техника», 1-38 02 03 «Техническое обеспечение безопасности», 1-54 01 02 «Методы и приборы контроля качества и диа

Физика электронных приборов (сборник задач): учебно-методическое пособие для студентов специальностей 1-38 02 01 «Информационно-измерительная техника», 1-38 02 03 «Техническое обеспечение безопасности», 1-54 01 02 «Методы и приборы контроля качества и диа

Шадурская Л. И., Воробей Р. И., Гусев О. К., Тявловский К. Л., Свистун А. И.
носителей
заряда
электронов
концентрация
exp
дырок
решение
области
температуре
ток
перехода
мкм
сопротивление
типа
тока
германия
коэффициент
проводимость
концентрации
определить
получаем
кремния
напряжение
полупроводника
неосновных
образца
плотность
переход
равна
удельное
концентрацию
переходе
проводимости
следовательно
атомов
излучения
концентрацией
неравновесных
диффузии
число
область
образец
скорость
сопротивления
мкс
насыщения
определяется
подвижность
примеси
температуры
Năm:
2020
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 389 KB
0 / 0
russian, 2020
30
Физика электронных приборов (сборник задач)

Физика электронных приборов (сборник задач)

Шадурская, Л. И.
носителей
заряда
электронов
концентрация
exp
дырок
решение
области
температуре
ток
перехода
мкм
сопротивление
типа
тока
германия
коэффициент
проводимость
концентрации
определить
получаем
кремния
напряжение
полупроводника
неосновных
образца
плотность
переход
равна
удельное
концентрацию
переходе
проводимости
следовательно
атомов
излучения
концентрацией
неравновесных
диффузии
число
область
образец
скорость
сопротивления
мкс
насыщения
определяется
подвижность
примеси
температуры
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 388 KB
0 / 0
russian
31
Фотолюминесценция полупроводниковых кристаллов

Фотолюминесценция полупроводниковых кристаллов

Агекян В.Ф.
электрона
энергия
фотона
рис
эпк
линии
связи
экситонов
электронов
электрон
дырки
энергии
дырок
дап
излучения
кристалла
экситона
дырка
полупроводниках
свободных
кристаллической
полупроводников
энергией
атомов
кристалле
поглощения
экситон
экситоны
донором
уровней
физика
эдк
групп
группы
доноров
зону
излучение
определяется
примесей
решетки
акцептор
акцепторов
акцептором
зон
зона
зоне
кристалл
полупроводника
свободного
соответствуют
Năm:
2000
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 179 KB
0 / 0
russian, 2000
32
Интегральные устройства радиоэлектроники. Элементы кремниевых биполярных ИС

Интегральные устройства радиоэлектроники. Элементы кремниевых биполярных ИС

Романовский М. Н.
примеси
перехода
диффузии
рис
слоя
транзистора
акцепторной
переходов
коллекторного
примесей
структуры
элементов
емкость
эмиттерного
ϕ
базового
изолирующего
качестве
концентрации
мкм
определяется
сопротивление
uпроб
донорной
области
основе
рисунок
типа
dt2д
δφ0
емкости
значения
изоляции
напряжения
определить
профиль
процесса
структура
элементы
dt2ox
exp
ºс
акцепторов
биполярных
бора
глубина
диффузионного
диффузионный
диффузию
загонки
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 270 KB
0 / 0
russian
33
Трансформация энергии в хлоропластах - энергопреобразующих органеллах растительной клетки

Трансформация энергии в хлоропластах - энергопреобразующих органеллах растительной клетки

Тихонов А.Н.
электрона
энергии
молекулы
фс2
хлорофилла
рис
центра
электрон
молекул
молекула
фотосинтеза
фс1
комплекс
растений
nadp
nadph
акцептор
результате
центр
зарядов
состав
центру
энергия
chl
антенны
мембране
процессов
реакционного
светособирающей
возбуждения
растения
солнечного
транспорта
фотосистемы
водорода
перенос
пигментов
пластохинона
реакционный
соединений
счет
тилакоидов
фотосинтезирующих
хлоропластах
ходе
электронного
adp
мембраны
первичный
переноса
Năm:
1996
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 218 KB
0 / 0
russian, 1996
34
Субмиллиметровая спектроскопия полупроводников

Субмиллиметровая спектроскопия полупроводников

Гершензон Е.М.
экситонов
фотопроводимости
состояний
примесей
электронов
мэв
возбужденных
поглощения
рис
частоты
исследования
линий
лов
полупроводниках
свободных
концентрации
условиях
излучения
носителей
спектра
зависимости
образца
основного
состояния
insb
исследований
области
переходов
полупроводников
поля
проводимости
связи
субмиллиметровых
температуры
энергии
атомов
возбуждения
возможности
измерений
конверсии
линии
низких
поле
спектры
температурах
заряда
ионизации
модуляции
переходы
состояниями
Năm:
1998
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 161 KB
0 / 0
russian, 1998
35
Исследование температурной зависимости электропроводности германия

Исследование температурной зависимости электропроводности германия

Славникова М. М.
заряда
носителей
зависимость
полупроводника
примеси
температуры
проводимости
электропроводности
полупроводнике
электронов
lnσ
валентной
запрещенной
зона
образца
рис
температурная
nd1
nd2
зависимости
зоне
концентрации
концентрация
области
образец
подвижности
температуре
типа
атомов
зондами
измерений
определяется
температур
атомы
зону
измеряется
ионизации
истощения
образцов
полупроводников
потенциалов
примесного
рисунок
температурной
уровни
физические
энергетические
exp
акцепторов
валентная
Năm:
2018
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 91 KB
0 / 0
russian, 2018
36
Исследование температурной зависимости электропро- водности германия

Исследование температурной зависимости электропро- водности германия

Славникова М. М.
заряда
носителей
зависимость
полупроводника
примеси
температуры
проводимости
электропроводности
образца
полупроводнике
электронов
lnσ
валентной
запрещенной
зона
области
рис
температурная
nd1
nd2
зависимости
зоне
концентрации
концентрация
образец
подвижности
температуре
типа
атомов
зондами
измерений
определяется
температур
атомы
зону
измеряется
ионизации
истощения
образцов
полупроводников
потенциалов
примесного
рисунок
температурной
уровни
физические
энергетические
exp
акцепторов
валентная
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 91 KB
0 / 0
russian
37
Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода

Мухачев В. А.
типа
полупроводника
диода
проводимости
области
валентной
запрещенной
перехода
примеси
электронов
зависимость
полупроводников
рисунок
температуры
зоне
носителей
зона
ток
exp
заряда
зонная
переход
полупроводник
примерно
тока
установки
атомов
германия
диаграмма
диод
донорной
зонной
зону
комнатных
концентрация
обр
образуется
определить
основных
положение
полупроводниках
прямой
работе
рис
рисунке
собственного
т.е
температурах
уровень
ферми
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 588 KB
0 / 0
russian
38
Сборник тестов остаточных знаний по курсу Психология

Сборник тестов остаточных знаний по курсу Психология

ответов
варианты
деятельности
психология
называется
знаний
наука
нервной
процесс
психологии
спбгуэф
внимания
восприятие
восприятия
вундт
ения
контроля
личности
мышления
называются
обозначается
образования
остаточных
павлов
поведения
правильных
психической
развитие
речи
санкт
свойств
состояние
теста
абсолютно
бланк
действие
и.м
изд
издательство
индивидуально
количество
константность
курсу
материал
науки
обучения
познавательных
помо
понятием
предметность
Ngôn ngữ:
russian
File:
PDF, 292 KB
0 / 0
russian